Los gases mixtos electrónicos se utilizan ampliamente en circuitos integrados a gran escala (LSI), circuitos integrados a ultra gran escala (VLSI) y producción de dispositivos semiconductores. Se utilizan principalmente en epitaxia en fase gaseosa (producción), deposición química de vapor, dopaje (difusión de impurezas), diversos procesos de grabado e implantación de iones.
Sin resumen electrónico de mezcla de gases
1. Diclorosilano (DCS) 5000 ppm+N2; Diclorosilano (DCS) 15 ppm+N2
2 diclorosilano (DCS) 10 ppm+triclorosilano (TCS) 10 ppm+helio
3 HCI 50 ppm+diclorosilano (DCS) 1000 ppm+equilibrio He
4 Silano 1%+Diclorosilano (DCS) 1%+Triclorosilano (TCS) 1%+Tetraclorosilano 1%+Nitrógeno
5 Silano 50 ppm+Triclorosilano (TCS) 1000 ppm+He
6 Triclorosilano (TCS) 15 ppm+N2
7 Etilsilano (Si2H4) 100 ppm ~ 200 ppm + H2
8 Etilsilano 10ppm+He
9 CO2 5ppm+silano 135ppm+etilsilano 1000ppm+He
10 SiH4 5 ppm~15%+Ar (H2/N2/He)
11 H2 5ppm+Ar 5ppm+N2 5ppm+CO 5ppm+CH4 5ppm+Equilibrio He de CO2 5ppm+silano 1000ppm
12 Etilborano 50-100 ppm+H2
13 arsenano 100 ppm ~ 0,7% + H2
14 germanano 1%~10%+H2
15 Tricloruro de boro 1%~5%+N2 (He)
16 PH3 0,8 ppm~500 ppm+Él (H2)
17 HCl 9 ppm~50%+N2
18 NF3 99,99% 180g~1500g
19 NF3 20 ppm ~ 30 ppm + aire
20 NF3 15 ppm+N2
21 CF4 80%+O2
22 Ar 5 ppm~80%+Ne (H2/He/N2)
23 coronas danesas 8%~50%+año
24 No 80%~97%+Ar
